即0.15-0.5MHz 差模干扰为主；
0.5-5MHz 差、共模干扰共存；
5-30MHz 共模干扰为主。
重点注意的是，滤波器件应该远离变压器、散热器，否则很容易跳过滤波电路，直接耦合到L,N线导致EMI超标。
1.增大 X 电容量；
2.添加差模电感；
3.小功率电源可采用 PI 型滤波器处理（建议靠近变压器的电解电容可选用较大些）。
1.对于差模干扰超标可调整 X 电容量，添加差模电感器，调差模电感量；
2.对于共模干扰超标可添加共模电感，选用合理的电感量来抑制；
3.也可改变整流二极管特性来处理例如：快速二极管如 FR107 用普通整流二极管 1N4007来代替。
1.对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕 2-3 圈会对 10MHZ 以上干扰有较大的衰减作用；
2.可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔， 铜箔闭环，然后通过一条线连接到原边的参考地。
3.处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电解并联电容的大小。
1.对于一类产品可以采用调整对地 Y2 电容量或改变 Y2 电容位置；
2.调整一二次侧间的 Y1 电容位置及电容量；
3.在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。
1.增加原边MOS管的驱动电阻，MOS管D,S之间并10-100pF的高压瓷片电容（或RC电路）。对大功率电源MOS管D极串引线或贴片磁珠。
2.RCD的缓冲电路采用慢管，RCD的二极管串联10-100Ω的电阻。
3.VCC供电的二极管用慢管。
4.调整一二次侧间的 Y1 电容位置及电容量；
5.减小原边功率环（即MOS管，变压器，大电解回路的）的面积。
6.对单路大电流输出的适配器等，输出电解后加双线并绕的共模电感，圈数尽量大于3圈。
1.减小副边功率环（即二极管，变压器，输出电解回路的）的面积。对大功率电源二极管正极可以串引线或贴片磁珠。
2.输出电解可以采用PI型滤波（靠近二极管的电容，容值稍大）。
3.对单路大电流输出的适配器等，输出电解后加双线并绕的共模电感，圈数尽量大于3圈。
4.调整输出二极管并联的RC吸收的参数。
EMI尽量将有高频电流流过的铜箔做在线路板内侧，将流过直流电的铜箔或是低频电流的铜箔放在外侧，高频大电流铜箔尽量短，用EMC的仪器测试都没有什么问题，当然低端的用Pai型滤波就可以，20W以上则要变压器屏敝+共模电感，当有Y电容时，后级纹波的大小对EMI影响较大；另外变压器用铜箔屏敝比绕线效果要好很多，成本也低。反馈电路有谐振时EMI也很难过，特别是从变压器中出来的一串串高频尖峰电压，会使该频段的MEI数值上升10甚至20DB以上，这在恒流开关电源中比较常见。单是怎样把环路面积做到最少，就是很难的问题，共模滤波部分跟初级怎样布局，大电解电容怎样放置，散热器器怎么做，接地应该怎么样接，都需要考虑，X电容与Y电容的排法，都很有讲究。比如：共模电感下面不要走初级的任何铜线，但滤波电路可以通过，如果有PFC电感，这个电感离共模电感要远，而且这个电感下面最好不要放置控制IC，特别是CRM模式的PFC。
